2、實(shí)驗(yàn)室環(huán)境
美國軍方針對(duì)高原環(huán)境下的醫(yī)學(xué)研究,USARIEM(The United States Army Research Institute of Environmental Medicine ,USARIEM美國軍方環(huán)境醫(yī)學(xué)研究所)建有一個(gè)大型(6.3×3.0 m)和一個(gè)小型低壓艙(3.7×2.7 m),通過氣閥相連接,可以模擬及控制壓力(從海平面到海拔9000米的氣壓)、溫度(-32 到43攝氏度)及對(duì)應(yīng)的濕度。
國內(nèi)目前主要是通過低氣壓(或高低溫-低氣壓,或高低溫-低氣壓-濕度)試驗(yàn)箱模擬相應(yīng)環(huán)境來實(shí)現(xiàn)。
五、低氣壓試驗(yàn)的目的
GJB 360B-2009 電子及電氣元件試驗(yàn)方法 方法105 低氣壓試驗(yàn) (等效美軍標(biāo)MIL-STD-202F )
六、低氣壓相關(guān)試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)
1)GJB 150.2A-2009 《軍用裝備實(shí)驗(yàn)室環(huán)境試驗(yàn)方法 第二部分 低氣壓(高度)試驗(yàn)》
2)GJB 360B-2009《電子及電氣元件試驗(yàn)方法 方法105低氣壓試驗(yàn)》(等效美軍標(biāo)MIL-STD-202F )
3)GJB 548B-2005《微電子器件試驗(yàn)方法和程序 方法1001 低氣壓(高空作業(yè))》(等效美軍標(biāo)MIL-STD-883D)
4)GB/T 2421-2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn) 總則》
5)GB/T 2423.21-2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)M低氣壓試驗(yàn)方法》
6)GB/T 2423.25-2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)Z/AM 低溫/低氣壓綜合試驗(yàn)方法》
7)GB/T 2423.26-2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)Z/BM 高溫/低氣壓綜合試驗(yàn)方法》
8)GB/T 2423.27-2005《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)Z/AMD 高溫/低氣壓綜合試驗(yàn)訪求》
9)GB/T 2424.15-2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程》
10)MIL-STD-810F 《環(huán)境工程考慮與實(shí)驗(yàn)室試驗(yàn) 低氣壓(高度)試驗(yàn)》
11)溫度、壓力、高度關(guān)系GB1920
12)IEC 60068-2-41(1976)《基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 第二部分 試驗(yàn) 試驗(yàn)Z/BM 高溫/低氣壓試驗(yàn)》
七、試驗(yàn)條件:
1、試驗(yàn)氣壓
GJB 150不適用于飛行高度超過30 000m的航天器、飛機(jī)或?qū)椛系难b備,而GJB 360中給出了4 572~200 000m不同高度下對(duì)應(yīng)的低氣壓值,GJB 548也給出了4 572~200 000m不同高度下對(duì)應(yīng)的低氣壓值。對(duì)比GJB 360與GJB 548的低氣壓-高度表,GJB 548共列出了A、B、C、D、E、F、G7個(gè)不同條件下的高度氣壓值,并且所給出的試驗(yàn)條件有一定的規(guī)律性,隨著飛行高度由低到高,氣壓值由大變?。籊JB 360給出了A、B、C、D、E、F、G、H、I、J 10個(gè)不同條件下的高度氣壓值,并且所列的高度-氣壓表中的試驗(yàn)條件由A到試驗(yàn)條件E有一定的規(guī)律性,隨著飛行高度由低到高,氣壓值由大變小,而由試驗(yàn)條件F到試驗(yàn)條件J沒有呈現(xiàn)規(guī)律性。與GJB 548所列的試驗(yàn)條件對(duì)比,GJB 360 試驗(yàn)條件增加了條件H到試驗(yàn)條件J,對(duì)應(yīng)的氣壓高度條件分別為:H:3 000m 70kPa;J:18 000m,7.6kPa;K:25 000m, 2.5 kPa 。
2、試驗(yàn)時(shí)間
GJB 360B-2009規(guī)定:
3、升降壓速率
通常不大于10kPa/min。
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